摘要：本发明属于发光二极管器件制备技术领域，特别涉及一种基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法。本发明半导体量子点发光二极管依次包括层叠的衬底、透明导电金属氧化物电极层、电子注入层、量子点发光层、空穴注入层和对电极层，其中涉及的电子注入层采用乙酰丙酮钛膜材料。可采用旋涂等溶液加工的方法制备电子注入层，将乙酰丙酮钛引入反向结构量子点发光二极管器件制备中，实现了电子的有效注入；并且与传统的正向结构和溶胶凝胶法制备的二氧化钛、氧化锌相比，本发明具有发光颜色纯、制备工艺简单，成本低廉，实验重复性和稳定性好、适合于大规模工业化生产等特点。
- 专利类型发明专利
- 申请人华北电力大学;
- 发明人谭占鳌;孙刚;屠逍鹤;侯旭亮;
- 地址102206 北京市昌平区朱辛庄北农路2号
- 申请号CN201410206672.8
- 申请时间2014年05月15日
- 申请公布号CN103972416B
- 申请公布时间2017年02月08日
- 分类号H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;
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