摘要：一种能提高LED光效的芯片加工方法，涉及光电技术领域。本发明芯片加工方法步骤为：①在器件上表面进行激光划片至衬底与外延片界面附近，形成沟槽；②采用高温酸液对沟槽进行腐蚀，获得期望的形貌；③采用隐形切割工艺在器件内部正对沟槽的位置形成内划痕；④以内划痕的位置进行裂片，分为各独立的发光二级管芯片。同现有技术相比，本发明方法同时采用高温侧壁腐蚀工艺与隐形切割工艺，能更大程度的提高LED芯片的亮度。
- 专利类型发明专利
- 申请人同方光电科技有限公司;同方股份有限公司;
- 发明人赖鸿章;
- 地址100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层
- 申请号CN201310023352.4
- 申请时间2013年01月23日
- 申请公布号CN103943744A
- 申请公布时间2014年07月23日
- 分类号H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
