摘要：本发明涉及半导体制备技术领域，特别涉及一种硅基片及横向扩散金属氧化物半导体LDMOS，用于消除硅基片上的沟槽在进行LOCOS工艺后残留的空隙，提高LDMOS的合格率。本发明公开了一种硅基片，包括：硅基片本体，以及间隔均匀的设置在硅基片本体上的多个沟槽；且多个沟槽的底面积之和与硅基片本体上多个沟槽所在的面的面积满足以下关系式：S1/S=0.56，其中，S1为多个沟槽的底面积之和，S为硅基片本体上多个沟槽所在的面的面积。上述硅基片完成LOCOS工艺后，多个沟槽将由生成的二氧化硅完全填充满，不会留有空隙，从而提高了LDMOS的合格率。
- 专利类型发明专利
- 申请人北大方正集团有限公司;北京北大方正电子有限公司;
- 发明人闻正锋;马万里;赵文魁;
- 地址100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层
- 申请号CN201310013042.4
- 申请时间2013年01月14日
- 申请公布号CN103928512B
- 申请公布时间2016年09月21日
- 分类号H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
