摘要：一种多层存储块兼具单层存储块性能的方法包括在每个存储单位上仅设置“0”和“1”两个电位；模拟单层存储块的写入方式将数据写入多层存储块内。本发明采用上述的技术方案，可以使MLC具有SLC高效的写入性能，并且还具有SLC稳定性好以及寿命长的特点。
- 专利类型发明专利
- 申请人深圳市安信达存储技术有限公司;
- 发明人李修录;
- 地址518000 广东省深圳市南山区西丽街道阳光社区沙坑路伟豪工业园2栋厂房601-1
- 申请号CN201410065882.X
- 申请时间2014年02月26日
- 申请公布号CN103870214A
- 申请公布时间2014年06月18日
- 分类号G06F3/06(2006.01)I;G06F12/02(2006.01)I;
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