摘要：本发明提供了一种基于忆阻的非易失性存储器及其读、写、擦除操作方法以及测试电路；基于忆阻的非易失性存储器电路包括忆阻存储单元、选址开关、控制开关以及分压电路。本电路的设计通过行列地址信号对忆阻存储单元进行选址，通过外加脉冲信号对读、写、擦除操作进行选择，并提供了基于忆阻的非易失性存储器的功能测试电路验证此电路结构的有效性。同时，在此电路结构的基础上，利用忆阻的非易失性原理，探讨了对此基于忆阻的非易失性存储器电路的读、写、擦除功能的实现方法，完成对指定忆阻存储单元的精确的读、写、擦除操作。本发明将为研制基于忆阻的非易失性存储器提供实验参考。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;
- 发明人王小平;陈敏;沈轶;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201410041731.0
- 申请时间2014年01月28日
- 申请公布号CN103811058B
- 申请公布时间2016年09月07日
- 分类号G11C16/06(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C29/56(2006.01)I;
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