摘要：本发明公开了一种采用外延技术在硅衬底上生长具有大拉伸应变Ge的方法，在Si衬底上外延生长Ge薄膜作为基底，继而生长成分渐变式InxGa1?xAs缓冲层，以增加顶层结构的晶格常数，接着在此结构上生长高质量Ge膜，得到具有大拉伸应变的Ge薄膜。本发明在硅衬底上生长Ge缓冲层和InxGa1?xAs缓冲层使得缓冲层顶层结构的晶格常数略大于Ge薄膜层的晶格常数，从而在硅衬底上制备得到具有拉伸应变的硅基锗薄膜，该硅基锗薄膜的拉伸应变可以达到2.0%，能够使Ge薄膜应变层转变为直接带隙半导体材料，大大增强其自发辐射效率，有利于光电子的应用，且基于硅衬底，可充分利用发展已很成熟的硅集成工艺，工艺简单、进一步降低制作成本。
- 专利类型发明专利
- 申请人浙江大学;
- 发明人叶辉;夏亮;张诗雨;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 申请号CN201410026810.4
- 申请时间2014年01月21日
- 申请公布号CN103794694B
- 申请公布时间2017年01月11日
- 分类号H01L33/32(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
