摘要：本发明公开了一种MoSi2-RSiC复合材料的制备方法。该方法通过将酚醛树脂浸渍裂解法与多组分合金活化熔渗工艺相结合，在1600℃~2000℃的熔渗温度下，使RSiC材料和MoSi2材料的优异性能有机结合，获得了高温力学性能优异、导热导电性良好、高温抗氧化性能优异的MoSi2-RSiC复合材料，从而可解决MoSi2电热元件材料存在的低温脆性和高温抗蠕变性差的缺点，也可解决SiC电热元件因Si熔化导致无法用于1400℃以上的难题，可作为新一代高温发热元件材料和高温结构材料应用。
- 专利类型发明专利
- 申请人湖南大学;
- 发明人高朋召;肖汉宁;郭文明;张小亮;
- 地址410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号
- 申请号CN201310715292.2
- 申请时间2013年12月23日
- 申请公布号CN103787661A
- 申请公布时间2014年05月14日
- 分类号C04B35/565(2006.01)I;C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
