摘要：本发明提供了一种气液两相雾化流量可控清洗装置，涉及半导体晶片工艺技术领域，包括气体主管路、液体支管路、压电晶体，所述气体主管路的下端外侧壁设有与其贴合的环形结构的压电晶体，通过控制所述压电晶体的电压使所述压电晶体产生形变，从而控制所述气体主管路的孔径，改变所述气体主管路中气体的压力和流速。本发明通过合理控制清洗介质的流量和流速，调整晶片径向不同位置的腐蚀速率，提高晶片的腐蚀均一性；在工艺过程中气流方向与晶片表面的沟槽结构相垂直，促进沟槽中杂质向流体主体的传递，提高清洗的效率和效果，同时，有利于节约液相流体。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人苏宇佳;吴仪;
- 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
- 申请号CN201410058385.7
- 申请时间2014年02月20日
- 申请公布号CN103779186B
- 申请公布时间2016年09月14日
- 分类号H01L21/02(2006.01)I;B08B3/04(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
