摘要：本发明涉及半导体处理装置，公开了一热处理装置，包括热处理加热结构、第二保温部、第三保温部及外壳，其中：热处理加热结构包括第一保温部及加热部，第一保温部环绕待加热样品形成一加热腔，加热部部分嵌入所述第一保温部内，加热部朝向待加热样品的一侧裸露。本发明提供的热处理装置包括置于内层的第一保温部、置于外层的第二保温部、以及置于顶部的第三保温部，具有全方位的良好保温性能，且该热处理装置包括多个长度可根据需求灵活定义的热处理加热结构，在简化热处理装置成型制作过程、提高热处理装置生产效率的同时，还可通过对各热处理加热结构的分别控制实现分段控温，提高了热处理装置的热处理质量和效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人孙少东;周厉颖;王艾;
- 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
- 申请号CN201410058399.9
- 申请时间2014年02月20日
- 申请公布号CN103774238B
- 申请公布时间2016年09月07日
- 分类号H01L21/324(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
