摘要：本发明涉及半导体处理装置，公开了一热处理装置，包括加热层及夹层，夹层环绕待加热样品以形成加热腔，加热层设置在加热腔内，用于加热待加热样品，夹层内部中空，以允许外界气体进入所述夹层。本发明通过在热处理装置中设置一内部中空的夹层，并控制夹层内部气体压力，当热处理装置升温并至保温阶段，控制夹层内部气体压力为负压，减小热传递及热对流带来的热损失，使热处理装置内部温度快速到达工艺温度，到达工艺温度进行保温时，能降低维持工艺温度的能耗；当热处理装置降温时，控制夹层内部压力为非负压状态，并使气体处于流动状态带走热量，达到热处理装置快速升降温的效果，实现降低热处理装置升温/保温能耗的目的。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人孙少东;周厉颖;王丽荣;
- 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
- 申请号CN201410058339.7
- 申请时间2014年02月20日
- 申请公布号CN103774237B
- 申请公布时间2016年09月07日
- 分类号H01L21/324(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
