摘要：本发明涉及一种GaN基UV探测传感器，包括衬底，其特征是：在所述衬底上表面依次设置U-GaN层、AlGaN层和N型GaN层，在N型GaN层上表面分别设置欧姆电极和肖特基电极。所述欧姆电极为Ti/Al/Ti/Au金属层。所述肖特基电极的材质为金属Pt。所述欧姆电极与肖特基电极之间存在一定距离。所述衬底为蓝宝石衬底。本发明有效降低了传感器的漏电流，提高了传感器的响应度；并且生产工艺简单、需求设备少、成本低。
- 专利类型发明专利
- 申请人江苏新广联科技股份有限公司;
- 发明人黄慧诗;郭文平;柯志杰;邓群雄;闫晓密;
- 地址214192 江苏省无锡市锡山区锡山经济开发区团结北路18号
- 申请号CN201410007216.0
- 申请时间2014年01月07日
- 申请公布号CN103762264A
- 申请公布时间2014年04月30日
- 分类号H01L31/108(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
