摘要：本发明公开了一种半导体设备的硅片承载区域氧含量控制方法及控制装置，通过分阶段控制氮气吹入的流量，来达到氧气含量的控制目标，在控制开始时，对硅片承载区域快速吹入氮气，进行气体置换；当氧含量低于设定值后，切换到PID控制方式，以PID控制计算值设定流量值，对硅片承载区域慢速吹入氮气，并控制氧含量直至目标值。本发明通过控制模块控制快速置换空气阀、排气阀、直通进气阀和带MFC的进气阀的启闭组合，保证了硅片承载区域的压力稳定在目标范围内，实现简单，资源节约，获得了良好的综合效果。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人慕晓航;张海轮;王凯;
- 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
- 申请号CN201310753245.7
- 申请时间2013年12月31日
- 申请公布号CN103760929A
- 申请公布时间2014年04月30日
- 分类号G05D11/13(2006.01)I;
教育装备采购网在线客服
京公网安备11010802043465号
