摘要：本发明涉及一种高热导金刚石掺杂SiC陶瓷的制备方法，利用流延法结合化学气相沉积方法向金刚石多孔预制体中沉积基体碳化硅。首先配置好不同粒径(7～50μm)的金刚石浆料进行流延实验，然后将流延好的金刚石颗粒和聚乙烯醇缩丁醛组成的基片室温干燥后备用。然后放置入CVI沉积炉，沉积基体碳化硅后得到的金刚石/碳化硅基片进行下一步在其表面的反复流延和沉积。最后，得到了金刚石/碳化硅复合材料试样。制备得到的金刚石/碳化硅复合材料为金刚石和碳化硅双相、无其他杂质，金刚石在复合材料中分布均匀且与基体金刚石结合良好。
- 专利类型发明专利
- 申请人西北工业大学;
- 发明人刘永胜;冯薇;胡成浩;成来飞;张青;
- 地址710072 陕西省西安市友谊西路127号
- 申请号CN201310739082.7
- 申请时间2013年12月26日
- 申请公布号CN103724014A
- 申请公布时间2014年04月16日
- 分类号C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;
教育装备采购网在线客服
京公网安备11010802043465号
