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    欠压锁存电路

      摘要:本发明公开了一种欠压锁存电路。该电路的肖特基势垒二极管的阳极接地,阴极接第一PMOS晶体管的栅极、第二PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极并通过RC电路接电压源;欠压锁存电压信号输出端接第二PMOS晶体管的漏极、第一NMOS晶体管的漏极、第三POS晶体管的栅极和第三NMOS晶体管的栅极;第一PMOS晶体管的源极接电压源,漏极接第二PMOS晶体管的源极和第三PMOS晶体管的源极;第二NMOS晶体管的源极接地,漏极接第一NMOS晶体管的源极和第三NMOS晶体管的源极;第三PMOS晶体管的漏极接地;第三NMOS晶体管的漏极接电压源。结构简单,节省成本,功耗低。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人郑州单点科技软件有限公司;
    • 发明人王晓娟;周晓东;王纪云;
    • 地址450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室
    • 申请号CN201210354245.5
    • 申请时间2012年09月21日
    • 申请公布号CN103684356A
    • 申请公布时间2014年03月26日
    • 分类号H03K3/013(2006.01)I;