摘要：本发明公开一种气态硅源生长二维硅烯薄膜的方法，采用化学气相沉积或物理气相沉积技术将硅原子基团从气态硅源中释放在催化层上而形成硅烯薄膜；所述催化层的厚度为25nm～25mm，催化层温度控制在20℃～1600℃之间。本发明方法简单、易于实现。制备得到的硅烯薄膜是由三个、四个、五个或七个硅原子为其重复单元并由共价键相连而成的二维层状薄膜，所包含的硅烯的层数为1～200层。
- 专利类型发明专利
- 申请人浙江大学;
- 发明人徐明生;陈红征;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 申请号CN201210353611.5
- 申请时间2012年09月21日
- 申请公布号CN103668453B
- 申请公布时间2016年12月21日
- 分类号C30B29/06(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
