摘要：本发明涉及一种钯复合膜缺陷修补技术，通过气相反应使SiO2在膜缺陷处沉积，进而实现对组件中的钯膜直接进行原位修补，而无需拆卸组件，为膜在使用过程中产生的缺陷提供了修补方案。本发明的具体技术方案为：将膜组件置于高温炉内，将硅源通入组件内钯复合膜的膜侧，硅源蒸气占据膜缺陷处，再向组件内的钯复合膜的基体侧通入氧化性气体，氧化性气体在浓度差的驱使下向缺陷处移动，并与硅源蒸气接触，快速反应生成固体颗粒沉积在缺陷处，达到修补的目的。本发明解决了对于膜在使用过程中产生的缺陷的修补问题，可极大地延长膜使用寿命，实用性更广，操作方便。
- 专利类型发明专利
- 申请人南京工业大学;
- 发明人黄彦;黎月华;胡小娟;俞健;魏磊;魏浩;
- 地址210009 江苏省南京市鼓楼区新模范马路5号
- 申请号CN201310721809.9
- 申请时间2013年12月23日
- 申请公布号CN103638821A
- 申请公布时间2014年03月19日
- 分类号B01D65/10(2006.01)I;C01B3/56(2006.01)I;
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