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    一种基于忆阻器的联想记忆电路

      摘要:本发明公开了一种基于忆阻器的联想记忆电路,包括忆阻器、第一电阻、第二电阻和运算比较器;第一电阻和忆阻器依次串联在运算比较器的第一输入端,忆阻器的非串联连接端作为联想记忆电路的第一输入端;第一电阻和忆阻器的串联连接端作为联想记忆电路的第二输入端;第二电阻的一端连接至运算比较器的第一输入端,第二电阻的另一端接地;运算比较器的第二输入端用于连接参考电压,运算比较器的输出端作为联想记忆电路的输出端;联想记忆电路的第一输入端和第二输入端分别用于接收条件刺激信号和非条件刺激信号,联想记忆电路的输出端用于输出反应信号。本发明可以根据施加条件刺激和非条件刺激信号的时间关系,模拟生物联想记忆的形成过程和遗忘过程。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人华中科技大学;
    • 发明人缪向水;李祎;许磊;钟应鹏;
    • 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
    • 申请号CN201310516829.2
    • 申请时间2013年10月28日
    • 申请公布号CN103580668B
    • 申请公布时间2016年04月20日
    • 分类号H03K19/00(2006.01)I;