摘要：本发明公开了一种铸造单晶硅锭的方法，还公开了一种铸造单晶硅锭的装置。本发明采用局部凝固方法得到初始晶核，采用诱导生长和转向生长和熔化初始晶核的方法得到籽晶，通过逐步扩大凝固区域，使籽晶长大并覆盖坩埚底部，最后让籽晶生长转变为定向凝固，从而制备出错位密度较低的单晶硅锭。本发明不需要使用长晶棒，便于控制铸造过程，也不需要籽晶，降低了成本。
- 专利类型发明专利
- 申请人西华大学;
- 发明人金应荣;贺毅;陈宝军;何知宇;张洁;李翔;龚鹏;苏敏;金玉山;
- 地址610039 四川省成都市金牛区金周路999号
- 申请号CN201310471418.6
- 申请时间2013年10月10日
- 申请公布号CN103526278B
- 申请公布时间2015年11月04日
- 分类号C30B11/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
