摘要：本发明公开了一种Si衬底GaN基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。该方法包括：提供Si衬底；在Si衬底上生长反光层，反光层为多周期结构，每个周期包括TiO2层和生长在TiO2层上的SiO2层；将顶层的SiO2层中一部分厚度的SiO2碳化成SiC；在碳化后的SiO2层上依次层叠生长成核层、不掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层。本发明通过生长反光层，可以将从多量子阱层射向Si衬底的光反射回去，避免了这些光被Si衬底吸收，从而在能保证发光二极管出光率的同时，不用剥离Si衬底，这一方面简化了芯片制作工艺的工序和成本，另一方面不会导致在芯片制作工艺过程中芯片碎片和漏电，便于Si衬底制作正装结构的芯片。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人孙玉芹;王江波;刘榕;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201310391310.6
- 申请时间2013年08月30日
- 申请公布号CN103500777B
- 申请公布时间2016年01月20日
- 分类号H01L33/00(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;
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