摘要：本发明提供一种LPCVD工艺生产环境的控制方法，包括：步骤S1，所述温度传感器采集所述反应腔室内的温度信息、所述真空度传感器采集所述反应腔室内的真空度信息；步骤S2，所述反馈控制装置获得所述温度信息和真空度信息，并根据所述温度信息和真空度信息计算得出反馈控制增益参数；步骤S3，所述反馈控制装置根据所述温度信息和对应的反馈控制增益参数生成温度控制信号，根据所述真空度信息和对应的反馈控制增益参数生成真空度控制信号，并发送至所述温度调节装置和真空度调节装置；步骤S4，所述温度调节装置根据所述温度控制信号调节所述反应腔室内的温度；所述真空度调节装置根据所述真空度控制信号调节所述反应腔室内的真空度。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人王峰;程朝阳;张芳;张海轮;
- 地址100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2楼2层
- 申请号CN201310298738.6
- 申请时间2013年07月16日
- 申请公布号CN103397312A
- 申请公布时间2013年11月20日
- 分类号C23C16/52(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
