摘要：本发明公开了一种常压化学气相沉积双层石墨烯膜的方法，其包括铜箔预处理、铜箔退火、双层石墨烯膜的生长和冷却过程，铜箔在H2和Ar混合气中于850～1050oC下退火，在不改变H2和Ar流速和反应温度的情况下，继续通入乙炔气生长获得双层石墨烯膜。本发明制备的双层石墨烯质量高，克服了常压制备石墨烯方法的缺陷。
- 专利类型发明专利
- 申请人西北大学;
- 发明人任兆玉;王惠;祁媚;李渭龙;
- 地址710069 陕西省西安市太白北路229号
- 申请号CN201210585747.9
- 申请时间2012年12月29日
- 申请公布号CN103352202B
- 申请公布时间2016年04月13日
- 分类号C23C16/26(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;
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