• 首页
  • 装备资讯
  • 热点专题
  • 人物访谈
  • 政府采购
  • 产品库
  • 求购库
  • 企业库
  • 品牌排行
  • 院校库
  • 案例·技术
  • 会展信息
  • 教育装备采购网首页 > 知识产权 > 专利 > CN103344350B

    高温陶瓷基薄膜热电偶及其制作方法

      摘要:本发明公开了高温陶瓷基薄膜热电偶及其制作方法,属于传感器制备技术及高温温度测量技术领域。该热电偶依次包括陶瓷基底1、SiO2层2、第一Al2O3层3、中间层4、第二Al2O3层5、热电偶层6和第三Al2O3层7。其有益效果:1、采用SiO2过渡层,增强绝缘层与陶瓷基底界面之间的结合力;2、采用Al2O3-Si3N4/AlN-Al2O3复合绝缘层,产生优良的绝缘性能同时还可以防止氧气进入,减少内层薄膜的氧化,保证传感器具有良好的动态响应。3、有效降低薄膜由于热载荷引起的热应力,保证成膜质量和薄膜的稳定性。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人西北工业大学;
    • 发明人苑伟政;马旭轮;马炳和;邓进军;朱鹏飞;
    • 地址710072 陕西省西安市友谊西路127号
    • 申请号CN201310280791.3
    • 申请时间2013年07月05日
    • 申请公布号CN103344350B
    • 申请公布时间2015年07月08日
    • 分类号G01K7/02(2006.01)I;H01L35/32(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I;