摘要：本发明公开了高温陶瓷基薄膜热电偶及其制作方法，属于传感器制备技术及高温温度测量技术领域。该热电偶依次包括陶瓷基底1、SiO2层2、第一Al2O3层3、中间层4、第二Al2O3层5、热电偶层6和第三Al2O3层7。其有益效果：1、采用SiO2过渡层，增强绝缘层与陶瓷基底界面之间的结合力；2、采用Al2O3-Si3N4/AlN-Al2O3复合绝缘层，产生优良的绝缘性能同时还可以防止氧气进入，减少内层薄膜的氧化，保证传感器具有良好的动态响应。3、有效降低薄膜由于热载荷引起的热应力，保证成膜质量和薄膜的稳定性。
- 专利类型发明专利
- 申请人西北工业大学;
- 发明人苑伟政;马旭轮;马炳和;邓进军;朱鹏飞;
- 地址710072 陕西省西安市友谊西路127号
- 申请号CN201310280791.3
- 申请时间2013年07月05日
- 申请公布号CN103344350A
- 申请公布时间2013年10月09日
- 分类号G01K7/02(2006.01)I;H01L35/32(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I;
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