半导体发光二极管的外延片及其制造方法

　　摘要：本发明公开了一种半导体发光二极管的外延片，涉及半导体技术领域。该外延片包括衬底和依次在衬底上生长的低温缓冲层、高温缓冲层、复合N型层、复合多量子阱层和复合P型层。该复合多量子阱层包括第一多量子阱层和在第一多量子阱层上生长的第二多量子阱层。该第一多量子阱层为多周期结构，每一周期包括势阱层和在势阱层上生长的势垒层，该第一多量子阱层每一周期的势垒层分别掺杂有Si。本发明外延片第一多量子阱层的势垒层掺杂的Si可以抑制势垒层的表面形成螺旋岛状结构，因此势垒层的表面特性好，晶体质量得到提高。本发明同时公开了一种制造半导体发光二极管外延片的方法。

专利类型发明专利
申请人华灿光电股份有限公司;
发明人吴克敏;魏世祯;
地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
申请号CN201310280553.2
申请时间2013年07月05日
申请公布号CN103337573A
申请公布时间2013年10月02日
分类号H01L33/14(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;