一种通过自底向上填充实现通孔互联的方法及其产品

　　摘要：本发明公开了一种通过自底向上填充实现通孔互联的方法，包括：（a）在基片的一个表面上加工制得盲孔；（b）在加工盲孔的基片表面上依次生长绝缘层、阻挡层和种子层；（c）向种子层表面上涂布光刻胶并填平盲孔，然后执行曝光及显影处理，以使光刻胶仅在盲孔底部的种子层表面上残留；（d）去除未覆盖光刻胶的种子层，而盲孔底部的种子层不受影响；（e）去除残留的光刻胶；（f）向盲孔中填充导电材料完成自底向上的生长；（g）减薄基片未加工盲孔的表面形成通孔，由此完成通孔互联过程。本发明还公开了相应的通孔互联结构产品。通过本发明，能够以便于操控、低成本、高效率的方式执行通孔电镀过程，并获得填充效果更好的通孔互联结构产品。

专利类型发明专利
申请人华中科技大学;
发明人廖广兰;薛栋民;史铁林;宿磊;独莉;张昆;
地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
申请号CN201310168540.6
申请时间2013年05月09日
申请公布号CN103325700B
申请公布时间2015年11月18日
分类号H01L21/60(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I;H01L21/74(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;