摘要：本发明涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路，其特征在于：包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5，电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2和N3的漏极，所述P1的漏极连接所述P1、P2和P3的栅极以及所述N1的漏极，所述N1的源极连接所述N3的源极和所述N4的漏极，所述N4的栅极连接所述N5的栅极和漏极以及所述P2的漏极，所述N2的栅极连接所述N3的栅极和漏极，所述N2、N4和N5的源极连接电源GND，所述P3的漏极作为所述基准电流产生电路的输出端。本发明的电路功耗极低，面积小，电源抑制比高。
- 专利类型发明专利
- 申请人福州大学;
- 发明人胡炜;许育森;黄继伟;黄凤英;林安;安奇;
- 地址350002 福建省福州市铜盘路软件大道89号软件园A区31号楼五层
- 申请号CN201310198308.7
- 申请时间2013年05月24日
- 申请公布号CN103309391B
- 申请公布时间2016年06月29日
- 分类号G05F1/567(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
