一种发光二极管的外延片及其制造方法

　　摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。该外延片包括：衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，外延片还包括设于n型层与多量子阱层之间的电流扩展层，电流扩展层为超晶格结构，超晶格结构由第一子层和第二子层交替层叠而成，第一子层和第二子层由Al_xGa_1-xN制成，相邻的第一子层和第二子层中的Al的组分含量不同，其中，0<x＜1。本发明通过上述技术方案，使得n型层中的电子在进入多量子阱层之前速度降低，使电子和空穴可以充分复合发光，提高了复合效率，且电流扩展层为超晶格结构，其多层结构可以有效释放衬底与n型层之间的应力，降低外延片中的缺陷，提高了内量子效率。

专利类型发明专利
申请人华灿光电股份有限公司;
发明人万林;魏世祯;
地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
申请号CN201310156773.4
申请时间2013年04月28日
申请公布号CN103236480B
申请公布时间2016年01月20日
分类号H01L33/14(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;