摘要：一种基于IBAD-MgO金属基带的简化隔离层及其制备方法，在IBAD-MgO金属基带上，采用经简化了的单层CeO2隔离层结构代替复杂的LaMnO3/MgO、CeO2/MgO和CeO2/LaMnO3双层复合隔离层结构，简化了复合隔离层结构，减少了隔离层层数，大大降低了镀膜成本，工艺可重复性和可靠性高，所得薄膜的质量高、表面光滑、致密性好、结合力强，所得薄膜的颗粒大小均匀可控。
- 专利类型发明专利
- 申请人上海超导科技股份有限公司;
- 发明人李贻杰;刘林飞;肖桂娜;
- 地址201203 上海市浦东新区芳春路400号1幢3层301-15
- 申请号CN201310176921.9
- 申请时间2013年05月14日
- 申请公布号CN103215546A
- 申请公布时间2013年07月24日
- 分类号C23C14/08(2006.01)I;H01B12/06(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;
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