摘要：本发明提出一种GaN基孔状光子晶体LED的制备方法，包括：生长GaN基LED外延片，并在外延片上匀底胶；利用孔状硬模板进行纳米压印，脱模后在外延片底胶表面上形成一层柱状阵列图案；在柱状阵列图案上匀第二层胶，其中该第二层胶为硅掺杂胶；依次进行硅刻蚀直至柱状阵列图案的柱子表面暴露，对底胶进行刻蚀直到GaN外延片暴露，以硅掺杂胶为掩模刻蚀外延片，经上述三步刻蚀得到表面具有孔状光子晶体结构，后续处理后即可得所述孔状表面光子晶体LED。本发明还公开了利用上述方法制备得到的GaN基孔状光子晶体LED。本发明利用纳米压印技术和孔状硬质模板，借助第二层硅掺杂胶的特殊性和对刻蚀气体的选择性，仅一步压印后刻蚀即可实现孔模板到孔状光子晶体的转移。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;
- 发明人张铮;徐智谋;孙堂友;何健;张学明;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201310054509.X
- 申请时间2013年02月20日
- 申请公布号CN103151436B
- 申请公布时间2015年12月09日
- 分类号H01L33/20(2010.01)I;
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