摘要：本发明涉及辐射测量技术，具体涉及一种基于硅光电倍增器的区域γ辐射测量方法及测量装置。该装置包括高量程探头和低量程探头，所述的高量程探头为硅半导体探测器，所述的低量程探头为由闪烁晶体和硅光电倍增器组合而成的探头，利用硅光电倍增器体积小、工作电压低、响应时间短、对磁场不敏感等特点，将其作为闪烁体探测器的光电转换和信号放大部件，从而进一步实现便携式区域γ剂量仪的小型化。
- 专利类型发明专利
- 申请人中国辐射防护研究院;
- 发明人靳根;陈法国;刘倍;徐园;王希涛;杨亚鹏;
- 地址030006 山西省太原市学府街102号
- 申请号CN201110392066.6
- 申请时间2011年11月30日
- 申请公布号CN103135120A
- 申请公布时间2013年06月05日
- 分类号G01T1/02(2006.01)I;G01T1/24(2006.01)I;G01T1/202(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
