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    一种发光二极管芯片及其制造方法

      摘要:本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法,属于半导体技术领域。该芯片包括:衬底、依次层叠在衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、量子阱发光层、p型层,不掺杂的GaN层的与n型层接触的表面上设有若干个孔洞,每个孔洞中沉积有荧光粉,且每个孔洞中的荧光粉的厚度小于孔洞的深度。本发明通过在不掺杂的GaN层上设置若干个孔洞,n型层位于不掺杂的GaN层上,减小了GaN层与n型层的晶格不匹配的差异,降低了n型层中的缺陷密度,有利于外延层中应力的释放和减少了缺陷对量子阱有源区的影响,提高了发光二极管的内量子效率和亮度;且孔洞中设有荧光粉,增加了发光二极管的外量子效率,提高了发光二极管亮度。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人华灿光电股份有限公司;
    • 发明人张建宝;刘权;
    • 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
    • 申请号CN201310040746.0
    • 申请时间2013年02月01日
    • 申请公布号CN103117346A
    • 申请公布时间2013年05月22日
    • 分类号H01L33/20(2010.01)I;H01L33/08(2010.01)I;