摘要：本发明公开了一种雪崩光电二极管（Avalanche?Photo?Diode，APD）过剩噪声因子测量系统，涉及半导体光电子器件的测试技术领域。本系统包括：光源、光耦合组件以及检测单元；所述检测单元包括：芯片测试工装夹具、偏置器、数字源表、放大器、噪声功率测试设备；光源通过光耦合组件照射在待测APD样品上，样品APD通过测试探针夹具与偏置器相连，数字源表与偏置器直流端口相连，偏置器交流端口连接放大器输入端，噪声功率测试设备连接放大器输出端。本发明通过同步测量APD噪声功率以及增益，实时，快速，精确的得出APD的过剩噪声因子。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;
- 发明人赵彦立;李奕键;涂俊杰;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201310021677.9
- 申请时间2013年01月21日
- 申请公布号CN103091568B
- 申请公布时间2016年01月06日
- 分类号G01R29/26(2006.01)I;
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