摘要：本发明公开了一种降膜结晶制备电子级硫酸的方法。它将硫酸晶种加至结晶器顶部；用泵将硫酸原料从结晶器顶部流加入，底部流出循环，硫酸在结晶器中以液膜方式从顶部流下，原料流量为10~40ml/min；以逐步降温方式进行结晶，硫酸在结晶器壁形成晶层，未结晶原料从结晶器底部流出，降温至-5~-16℃；结晶完成后停泵加料，恒温10~60min，将未结晶料液排出；再逐步升温发汗；继续升温至晶层完全融化，得到一次结晶产品。将一次结晶产品做原料，重复以上操作，进行二次降膜结晶，得到电子级硫酸。本方法设备简单，生产时间较短，能耗较低，直接可制得MOS级至BV-Ⅲ级电子级硫酸，具有可观的经济效益。
- 专利类型发明专利
- 申请人瓮福（集团）有限责任公司;贵州大学;
- 发明人朱静;李天祥;刘飞;丁雪峰;张承屏;宋小霞;
- 地址550002 贵州省贵阳市市南路57号瓮福国际23楼
- 申请号CN201310041680.7
- 申请时间2013年02月04日
- 申请公布号CN103086329A
- 申请公布时间2013年05月08日
- 分类号C01B17/90(2006.01)I;
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