一种ZnO纳米柱和ZnO纳米片层复合结构材料的制备方法

　　摘要：本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种ZnO纳米柱和ZnO纳米片层复合结构材料的制备方法。本发明的方法采用一步水热反应法，将氧化铝薄片和FTO衬底同时放入高压反应釜中，在反应体系中使ZnNO_3.·6H₂O和乌洛托品水溶液进行水热反应。反应一段时间后，冷却至室温，得ZnO纳米柱和ZnO纳米片层的复合结构材料。此材料兼具了纳米阵列结构的电子直线传输通道功能,又提高了光阳极的比表面积，保证了高的电子传输效率以及大的染料吸附能力；片层结构直接生长于FTO，提高了光阳极材料和FTO之间的接触能力，更有益于提高DSSC的开路电压和短路电流，在DSSC领域具有广泛的实际应用价值。

专利类型发明专利
申请人华北电力大学;
发明人李美成;姜永健;余航;李晓丹;余悦;赵兴;
地址102206 北京市昌平区朱辛庄北农路2号
申请号CN201310008117.X
申请时间2013年01月09日
申请公布号CN103073194B
申请公布时间2015年06月10日
分类号C03C17/23(2006.01)I;C01G9/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;H01G9/20(2006.01)I;