摘要：本发明提供一种高效率制备薄膜器件的高真空三室三掩模库薄膜沉积系统，该系统由氧化物生长室、金属生长室、有机物生长室、手套箱、基片架和掩模库组件、电动传送杆组件、传递小车组件、热蒸发水冷电极、有机源蒸发炉、抽气系统、安装机台、真空测量、膜厚测试及电控系统组成，其特征在于：所述的氧化物生长室、金属生长室、有机物生长室顶部均安装有基片架和掩模库组件，一个掩模库可放5个基片架，每个基片架可放9块基片，因此，在原位真空条件下可实现一次对126片基片进行多层膜沉积至器件封装，大幅度提高多层膜材料及器件制作效率，同时降低薄膜沉积系统的建造成本。适用于生长各种薄膜，制备有机发光器件、有机薄膜太阳能电池以及有机薄膜晶体管等薄膜器件。
- 专利类型发明专利
- 申请人云南大学;中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司;
- 发明人吕正红;张晋;王登科;刘春;周红章;孙影;
- 地址650091 云南省昆明市翠湖北路2号云南大学
- 申请号CN201310000754.2
- 申请时间2013年01月05日
- 申请公布号CN103060755A
- 申请公布时间2013年04月24日
- 分类号C23C14/24(2006.01)I;C23C14/04(2006.01)I;
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