摘要:本发明属于PECVD设备表面电场增强技术领域,具体地说是一种用于大型板式PECVD设备的表面电场增强装置。包括工艺腔和设置于工艺腔内的电极基板、碳板、传输滚轮及绝缘销,其中电极基板通过绝缘销固接于工艺腔的内壁上,所述碳板设置于电极基板的下方、并与电极基板之间留有间隙,所述电极基板接入电压。本发明可吸引N3-或Si4+离子,增大了输送到生长表面的离子流量,能提高沉积速率。
- 专利类型发明专利
- 申请人中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司;
- 发明人李昌龙;赵崇凌;李士军;张健;张冬;洪克超;徐宝利;钟福强;陆涛;许新;王刚;刘兴;张妍;王学敏;李松;屈秋霞;张缔;朱龙来;徐浩宇;赵科新;闫用用;
- 地址110168 辽宁省沈阳市浑南新区新源街一号
- 申请号CN201210593436.7
- 申请时间2012年12月29日
- 申请公布号CN103046027A
- 申请公布时间2013年04月17日
- 分类号C23C16/511(2006.01)I;