摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于二极管技术领域。所述外延片包括衬底层、以及依次覆盖在衬底层上的缓冲层、非掺杂的GaN层、N型接触层、N型扩展层、多量子阱层和P型层；N型扩展层是由若干第一子层和若干第二子层交替形成的超晶格结构；第一子层采用N型掺杂的AlxGa1-xN作为生长材料，0<x<1；第二子层采用N型掺杂的GaN作为生长材料。本发明通过增加一层N型扩展层，使电子在进入多量子阱层之前速度降低，同时防止了部分空穴直接跃迁进入N型层，从而使电子和空穴在多量子阱层充分复合发光，提高了发光二极管的发光效率。另外，N型扩展层的超晶格结构可以提升发光二极管的内量子效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人万林;魏世祯;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201210540920.3
- 申请时间2012年12月12日
- 申请公布号CN103035805B
- 申请公布时间2016年06月01日
- 分类号H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
