摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。该方法包括：提供发光二极管芯片的外延片；在外延片上设置透明导电层、第一电极和第二电极，第二电极设于透明导电层上；在透明导电层上沉积金属层；在金属层上匀上光刻胶，并采用光刻技术制作光刻胶的根须母体，根须母体呈长条状且从第二电极延伸；在设有根须母体的金属层上沉积一层硅化物，并采用干法刻蚀去掉除根须母体侧面的硅化物以外的硅化物；采用有机溶剂除去根须母体，得到硅化物根须，硅化物根须由根须母体两侧的硅化物形成；以硅化物根须为掩膜刻蚀金属层，并在刻蚀完成后去掉硅化物根须，得到电流扩展根须。本发明通过上述方案提高了电流扩展能力。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人金迎春;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201210544495.5
- 申请时间2012年12月13日
- 申请公布号CN103035796A
- 申请公布时间2013年04月10日
- 分类号H01L33/14(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
