摘要：本发明公开了一种气液两相雾化清洗装置，涉及半导体晶片工艺技术领域，所述装置包括气液两相雾化喷头，还包括液相流体的流量控制装置。本发明的气液两相雾化清洗装置在清洗过程中增加了垂直于晶片沟槽的物理力，促进晶片沟槽中杂质和污染物向液相流体主体的传递，提高了清洗的效率和效果；同时本发明通过液相流体的流量控制装置来降低液相流量，采用雾化流体冲洗晶片表面，减少了对晶片的破坏。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人苏宇佳;吴仪;
- 地址100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2楼2层
- 申请号CN201210506549.9
- 申请时间2012年11月30日
- 申请公布号CN103008299A
- 申请公布时间2013年04月03日
- 分类号B08B7/04(2006.01)I;B05B7/04(2006.01)I;B05B7/12(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
