摘要：本发明涉及一种具有高亮度高发光效率的外延生长结构，所述具有高亮度高发光效率的外延生长结构，包括衬底及生长于所述衬底上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有N型化合物半导体材料层，所述N型化合物半导体材料层上生长有有源层；所述有源层上生长有电子溢出阻挡层，所述电子溢出阻挡层上生长P型化合物半导体材料层。本发明通过电子溢出阻挡层与P型化合物半导体材料层共同阻挡电子的溢出，增加有源区的复合电子数量，从而有效地提高制备得到发光器件的发光效率，提高LED芯片的发光亮度及发光效率，与现有工艺兼容，工艺方便，结构紧凑，安全可靠。
- 专利类型发明专利
- 申请人江苏新广联科技股份有限公司;
- 发明人钟玉煌;郭文平;
- 地址214111 江苏省无锡市锡山区锡山经济开发区团结北路18号
- 申请号CN201210505746.9
- 申请时间2012年12月01日
- 申请公布号CN102983237A
- 申请公布时间2013年03月20日
- 分类号H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
