摘要：本发明属于材料制备方法,具体涉及一种C包覆HfC晶须的制备方法，技术特征在于：不采用催化剂制备C包覆HfC晶须，采用HfCl4-C3H6-H2-Ar体系沉积HfC-C晶须。本发明的有益效果：不采用催化剂制备C包覆HfC晶须，而且设备简单易于操作。另外采取一步法制备，可以减少杂质的引入。以此制备的同轴电缆结构HfC-C晶须，有望改善增强体的界面结合，以提高HfC晶须的增强效果。
- 专利类型发明专利
- 申请人西北工业大学;
- 发明人王永杰;李贺军;付前刚;吴恒;姚栋嘉;
- 地址710072 陕西省西安市友谊西路127号
- 申请号CN201210469672.8
- 申请时间2012年11月19日
- 申请公布号CN102965638B
- 申请公布时间2014年11月05日
- 分类号C23C16/26(2006.01)I;C22C49/14(2006.01)I;C22C101/12(2006.01)N;C22C121/02(2006.01)N;
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京公网安备11010802043465号
