摘要：本发明提供了一种带离子阱的脉冲式辉光放电离子源，包括：电源、能够产生离子的放电体C和离子引出电极B2，放电体C的高压端连接电源，低压端通过相互串联的限流电阻R1和高压开关S1接地，离子引出电极B2的一端通过分压电阻R3连接放电体C的高压端，另一端通过相互串联的分压电阻R2和高压开关S2接地，放电体C包括两个位置相对的正负放电电极和筒状可提供稳定的脉冲辉光放电区域的离子源电极筒，该正负放电电极通过开设在离子源电极筒侧壁上的开孔伸入到离子源电极筒内。本发明所述脉冲式辉光放电离子源，实现了脉冲离子流强度及脉宽的可调控。同时克服了离子附着离子源管壁的问题，减少了离子损失，提高了离子引出率。
- 专利类型发明专利
- 申请人武汉矽感科技有限公司;上海矽感信息科技有限公司;
- 发明人刘立秋;马军;张伟;颜毅坚;徐翔;张亦扬;
- 地址430000 湖北省武汉市东西湖区台商投资区吴南路4号
- 申请号CN201210448724.3
- 申请时间2012年11月12日
- 申请公布号CN102945785A
- 申请公布时间2013年02月27日
- 分类号H01J49/10(2006.01)I;H01J49/12(2006.01)I;G01N27/62(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
