摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片，所述外延片包括衬底、依次覆盖在所述衬底上第一半导体层、有源层、电子阻挡层和第二半导体层，所述第一半导体层包括N型GaN层，所述第二半导体层包括P型GaN层，所述电子阻挡层为单层的P-InxAlyGa1-x-yN（0≤X＜1，0＜Y＜1）或P-InxAlyGa1-x-yN/P-GaN（0≤X＜1，0＜Y＜1）超晶格。本发明通过在靠近有源层时电子阻挡层中Al的成分非常小，从而降低晶格失配，避免了不必要的电子与空穴的复合现象；而在靠近P型层时，势垒高度逐渐降低，减小了空穴注入的难度，从而改善了电子和空穴的复合效率，提升发光二极管的发光效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人叶芸;魏世祯;胡加辉;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201210438181.7
- 申请时间2012年11月06日
- 申请公布号CN102931306A
- 申请公布时间2013年02月13日
- 分类号H01L33/14(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
