摘要：本发明公开了可实现高消光比的双电光开关装置：高消光比双电光开关装置，包括：二分之一波片、起偏器，第一电光开关晶体，第一检偏器，第一废光收集器，第二电光开关晶体，第二检偏器，第三检偏器，第二废光收集器及电光开关驱动控制电源，此装置可实现高压关断、低压关断两种工作模式。本发明采用双电光开关，可以大大提高开关的消光比，系统消光比提高上百倍。满足工业精细加工领域对高消比的电光斩波开关的需求。
- 专利类型发明专利
- 申请人中国科学院光电研究院;北京国科世纪激光技术有限公司;
- 发明人麻云凤;余锦;张雪;牛岗;樊仲维;赵天卓;杨军红;
- 地址100094 北京市海淀区西北旺镇邓庄南路9号
- 申请号CN201210442195.6
- 申请时间2012年11月08日
- 申请公布号CN102928999A
- 申请公布时间2013年02月13日
- 分类号G02F1/03(2006.01)I;
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