摘要：本发明涉及非晶纳米晶合金薄带制造领域，特别涉及一种具有成分梯度的非晶合金带材及其制造方法。该非晶合金带材从表面向内部的0~200nm深度范围内，成分梯度元素含量逐渐减少；其中，成分梯度元素为[B]、[C]、[N]、[Si]、[P]、[S]中的至少一种。本发明利用可在高温下分解成活性原子的气体在熔潭周围温下分解出[B]、[C]、[N]、[Si]、[P]、[S]等活性原子，将其渗入到熔体中形成浓度梯度，凝固后形成具有成分梯度的非晶合金带材。本发明通过控制喷吹气体的种类和浓度，可以调节带材成分梯度层的元素种类、深度和元素含量。
- 专利类型发明专利
- 申请人安泰科技股份有限公司;
- 发明人丁力栋;李泉;王建;张志英;王畅;马跃;
- 地址100081 北京市海淀区学院南路76号
- 申请号CN201210408407.9
- 申请时间2012年10月24日
- 申请公布号CN102909326A
- 申请公布时间2013年02月06日
- 分类号B22D11/06(2006.01)I;B22D11/18(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
