摘要：本发明涉及激光技术领域，特别涉及一种电光晶体压电振铃效应测量装置及其测量方法，一种电光晶体压电振铃效应测量装置，包括光电探测器A和光电探测器B，在入射光路的中心线上依次设有薄膜偏振片D、1/2波片、法拉第光学旋转器、薄膜偏振片B、1/4波片、测试装置和全反镜，所述测试装置由高压驱动电源驱动，所述光电探测器A用于探测薄膜偏振片D上的反射光，所述光电探测器B用于探测薄膜偏振片B上的反射光。本发明在测量电光晶体振铃效应时，所需的高压驱动电源提供的电压降低了一倍，并且本发明可以实现BBO、KD*P等这种高电压晶体的压电振铃效应的测量。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京工业大学;北京国科世纪激光技术有限公司;
- 发明人陈檬;杨超;李港;彭志刚;樊仲维;杨军红;麻云凤;
- 地址100022 北京市朝阳区平乐园100号
- 申请号CN201210364597.9
- 申请时间2012年09月26日
- 申请公布号CN102879723B
- 申请公布时间2015年06月10日
- 分类号G02F1/03(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
