摘要：本发明公开了一种抗辐射SRAM时序控制电路及时序处理方法，用于解决现有抗辐射SRAM时序控制电路在辐射环境下可靠性差的技术问题。技术方案是在存储器阵列中增加一行一列存储单元来跟踪存储器关键信号线包括字线和位线的状态，每次存储器读写操作都选中跟踪单元的行和列，将跟踪单元的字线和位线的状态反馈给时序控制单元。时序控制单元依据反馈信号及输入时钟产生SRAM的内部时序控制信号，实现数据的写入和读出。由于采用存储单元跟踪技术，整个时序完全依赖于存储器自身的速度变化自动调节。基于SRAM时序控制电路的时序处理方法使得SRAM在受辐射影响内部电路工作速度的情况下仍然能够产生正确的时序信号，避免了误操作。
- 专利类型发明专利
- 申请人西北工业大学;
- 发明人魏晓敏;高德远;魏廷存;陈楠;高武;郑然;王佳;胡永才;
- 地址710072 陕西省西安市友谊西路127号
- 申请号CN201210296626.2
- 申请时间2012年08月20日
- 申请公布号CN102855927B
- 申请公布时间2015年01月28日
- 分类号G11C11/413(2006.01)I;
教育装备采购网在线客服
京公网安备11010802043465号
