摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。该外延片包括衬底层、依次覆盖在衬底层上的缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层；多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个与各量子垒层相互交替生长的量子阱层，每个量子垒层为超晶格结构；超晶格结构由不掺杂的GaN层和n型掺杂的AlxInyGa1-x-yN层交替层叠而成，其中，0≤x＜1，0≤y＜1。本发明通过将发光二极管的外延片的中的每个量子垒层设置为超晶格结构，该超晶格结构由不掺杂的GaN层和n型掺杂的AlxInyGa1-x-yN层交替而成，提高了内量子效率；同时，采用n型掺杂的AlxInyGa1-x-yN可以有效的增加电子隧穿几率，提高了晶体质量的同时降低了工作电压，提高了抗静电能力，并减小了热阻，降低了结温。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人王明军;魏世祯;胡加辉;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201210318437.0
- 申请时间2012年08月31日
- 申请公布号CN102820392B
- 申请公布时间2016年02月03日
- 分类号H01L33/06(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
