摘要：本发明属于纳米材料制备方法技术领域，特别涉及一种硅纳米线双层阵列结构材料的制备方法。本发明采用（100）单晶硅片，利用金属纳米粒子催化刻蚀技术减薄硅片，使其厚度低于100?μm。把获得的薄单晶硅片用聚四氟乙烯夹具夹持并放入刻蚀液，在薄硅片上、下表面同时刻蚀，控制反应温度与时间获得硅纳米线双层阵列结构材料。本发明首次利用薄硅片上、下表面刻蚀形成硅纳米线双层阵列结构材料，调控薄单晶硅片的厚度可控制硅纳米线阵列双层结构的厚度。本发明成本低、操作步骤简单、且与现有纳米器件制备工艺相兼容，可降低新型纳米器件的制作成本。
- 专利类型发明专利
- 申请人华北电力大学;
- 发明人李美成;白帆;谷田生;黄睿;
- 地址102206 北京市昌平区朱辛庄北农路2号
- 申请号CN201210276363.9
- 申请时间2012年08月03日
- 申请公布号CN102817084B
- 申请公布时间2015年06月10日
- 分类号C30B33/10(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;
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