摘要：本发明涉及一种化学气相沉积法制备同轴碳化硅/二氧化硅纳米电缆的方法，将浸泡后的碳/碳复合材料置于在沉积炉，抽真空再通氩气至常压，然后向装有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入载气氢气，将反应气源甲基三氯硅烷带入炉堂内，同时通入稀释氩气及稀释氢气进入反应。本发明合成工艺简单，不需要预先合成工艺；碳化硅/二氧化硅（内芯/外层）同轴纳米电缆在常压下制得，对设备的要求低；沉积温度较低，降低了制备成本；此外，还有一个突出的特点是可以通过调整沉积工艺参数有效控制碳化硅/二氧化硅（内芯/外层）同轴纳米电缆的纯度和均匀性。这些优点让大规模工业生产碳化硅/二氧化硅（内芯/外层）同轴纳米电缆成为可能。
- 专利类型发明专利
- 申请人西北工业大学;
- 发明人李贺军;强新发;张雨雷;李克智;魏建锋;
- 地址710072 陕西省西安市友谊西路127号
- 申请号CN201210243056.0
- 申请时间2012年07月13日
- 申请公布号CN102810359B
- 申请公布时间2014年07月02日
- 分类号H01B13/00(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
